L'affidabilità è un fattore chiave per i dispositivi di memoria flash NAND e di logica CMOS. L'affidabilità della logica può essere classificata come invecchiamento, ovvero come un processo in cui i parametri del dispositivo cambiano gradualmente nel tempo o come improvviso guasto. Le instabilità accelerate da temperatura e polarizzazione (BTI), la corrente di dispersione indotta da stress (SILC) e la degradazione del portatori caldi (HCD) sono manifestazioni della prima, mentre il breakdown del dielettrico (TDDB) è la manifestazione del secondo.
L'affidabilità della flash NAND riguarda principalmente la perdita di carica da un livello programmato (perdita di ritenzione dei dati (DR)), che viene accelerata dopo ripetuti cicli di programmazione/cancellazione (P/E).
In questo intervento, discuteremo un quadro generale di generazione / passivazione e intrappolamento / deintrappolamento, e metteremo a confronto i dati presentati con un ampio set di dati di misura.